紧凑兼具可靠性,京邦科技发布TP系列SiPM新品

作者:admin   发布时间: 2019-06-19   来源:admin 422

6月19日,京邦科技发布全新的TP系列SiPM,TP系列SiPM基于CMOS工艺制造,采用了全新的基于TSV技术的晶圆级封装,有效减小器件尺寸和死区面积,同时带来了均一性和可靠性的巨大提升。

相较于TN系列SiPM,TP系列在相同的9mm2感光芯片面积下,实现9.3636mm2的封装面积,较TN系列减少了41.5%,感光区域以外的死区几乎完全消除,结构更加紧凑,使得TP系列非常适合用于大面阵探测,采用TP系列的面阵相比TN系列面阵,阵列整体探测效率可提高30%以上,极大提升大面阵下的光子信号捕捉能力。

结构上的优化和封装精度的提高为TP系列SiPM带来了更好的均一性。传统封装采用打线方式实现芯片电极和引线框架的连接,打线长度不一以及引线框架尺寸波动,使信号路径的波动达到毫米水平,而晶圆级封装通过硅通孔(TSV)实现上下垂直连接,并采用高精度光刻布线,信号路径长度波动缩小至微米级,更小的路径波动能够有效减少信号传输抖动,从而使TP系列达到更好的均一性。

此外TP系列SiPM新产品采用高强度专用玻璃作为盖板材料,相比硅脂塑封具有更高的可靠性、更好的温度稳定性和更长的寿命。

京邦科技TP系列SiPM采用的基于TSV技术的晶圆级封装,又称芯片尺寸封装(WL-CSP,wafer level chip scale package),是一种直接在晶圆层面完成封装制程的先进封装方式。基于TSV的晶圆级封装,是采用硅穿孔+光刻布线方式实现芯片I\O互连,从而实现封装尺寸=芯片尺寸,极大提升器件的封装紧凑性和可靠性,使器件兼具轻、薄、小、可靠、高效、精确等特点,是SiPM封装的重点发展方向。 

目前TP系列SiPM以下型号已开始接受订购,具体参数如下表,欢迎咨询。


参数

条件

单位

JSP-TP3050-SMT

光谱响应范围

250-950

--

nm

峰值响应波长

420

--

nm

峰值波长探测效率 

35%

Vov=2V

--

内部增益

2.5×106

Vov=2V

--

上升时间

1

Vov=2V

ns

暗计数率 

典型

120

Vov=2V

kHz/mm2

最大

270

Vov=2V

击穿电压温度稳定性

34.4

--

mV/

串扰概率

3.1%

Vov=2V

--

后脉冲

3.9%

Vov=2V

--